IGBT与场效应管（MOSFET）都是半导体发展的新一代的器件，它们的功能是非常类似的，它们都能完成类似的功能，但它们具有明显的区别。
首先，从结构上说，IGBT是将Bipolar的晶体管整合到一个结构中来的，它由P层N层构成，它的栅极和源极各有一个PN结；而场效应管则是由N层构成的，它只使用一个PN结去驱动芯片，因此能以更小的pg尺寸去实现功能，结构也比IGBT更为简单。
其次，从功能上来说，IGBT的功耗大，但具有较快的开关速度，而场效应管则具有较低的功耗，但其开关速度较慢。此外，在高电压应用时，IGBT的反向恢复时间要短于MOSFET，因此，能够在较低的开关电流下，实现较高的拓扑灵活性。
总结起来，IGBT与场效应管有着明显的差别，在结构和功能上，它们都有着明显的差异。其中，MOSFET具有结构简单、功耗低的优点，而IGBT以开关速度快、不同结构应用技术多样化等优势大受欢迎。
