先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中的双栅场效应管(FET)和线艺电感:高Q值和紧凑型解决方案

先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中的双栅场效应管(FET)和线艺电感:高Q值和紧凑型解决方案

在当今高速计算和射频应用中,对高性能半导体器件的需求日益增加。双栅场效应管和线艺电感脱颖而出,作为满足这些需求的创新解决方案。本文探讨了这些器件的独特特性和吸引力,重点关注其在先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中的应用。双栅场效应管:
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